۱۷.۱۳۵.۰۰۰ تومان
حداکثر حجم قابل نوشتاری (TBW) 1200 ترابایت
حافظه فلش از نوع 3D TLC NAND، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 2280
میزان سرعت خواندن تصادفی برابر با 1000K IOPS و نوشتن معادل 1400K IOPS
میزان سرعت خواندن ترتیبی برابر با 7250 مگابایت بر ثانیه و نوشتن معادل 6900 مگابایت بر ثانیه
دارای ظرفیت 1 ترابایت و رابط اتصال PCIe 4.0 x4، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 با پشتیبانی از استاندارد NVMe
| نوع رابط |
PCIe 4.0 x4 |
|---|---|
| ظرفیت |
یک ترابایت – 1TB |
| فرم فاکتور |
M.2 |
| هیت سینک |
ندارد |
| پشتیبانی از NVMe |
دارد |
| نوع فلش |
3D TLC NAND |
| سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات |
6900 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن تصادفی IOPS |
1400K IOPS |
| دمای عملکرد |
0 تا 85 درجه سانتی گراد |
| حافظه کش |
سیستم کشینگ از نوع Dram Cach |
| نوع محصول |
حافظه اس اس دی M.2 |
| پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| سرعت خواندن اطلاعات |
7250 مگابایت بر ثانیه |
| فناوری S.M.A.R.T |
دارد |
| حجم قابل نوشتن (TBW) |
1200TBW |
| سرعت خواندن تصادفی IOPS |
1000K IOPS |
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد یک حساب کاربری؟
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.